美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, **大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):
|
型號
|
eH 400 / eH 400 LEHO
|
|
供電
|
DC magnetic confinement
|
|
- 電壓
|
40-300 V VDC
|
|
- 離子源直徑
|
~ 4 cm
|
|
- 陽極結(jié)構(gòu)
|
模塊化
|
|
電源控制
|
eHx-3005A
|
|
配置
|
-
|
|
- 陰極中和器
|
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
|
|
- 離子束發(fā)散角度
|
> 45° (hwhm)
|
|
- 陽極
|
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
|
|
- 水冷
|
前板水冷
|
|
- 底座
|
移動或快接法蘭
|
|
- 高度
|
3.0'
|
|
- 直徑
|
3.7'
|
|
- 加工材料
|
金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
|
|
- 工藝氣體
|
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
|
|
- 安裝距離
|
6-30”
|
|
- 自動控制
|
控制4種氣體
|
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用**域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅**生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
[誠信檔案]
