KRI 離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter
上海伯東代理美國 KRI 離子源應用于超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12托, 且在化學, 物理和工程**域十分常見. 超高真空環(huán)境對于科學研究非常重要, 因?qū)嶒炌ǔＲ笤谡麄�實驗的過程中, 表面應保持無污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用, 而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的薄膜.
針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷, 來保護機構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定.
通過使用上海伯東 KRI 離子源可實現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可**立施打偏壓, 對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能.
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):
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型號
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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